Другие изобретения
на букву "П"

Планетоход

Планетоход

Дата изобретения: 1970 г.

Разработчик:
Кемурджиан Александр Леонович

Краткая информация:

Планетоход — это космический аппарат, предназначенный для передвижения по поверхности другой планеты или небесного тела. Некоторые планетоходы были сконструированы для перемещения членов экипажа космической экспедиции; другие были дистанционно управляемыми, частично или полностью автономными роботами.

Перекрытие-оболочка

Перекрытие-оболочка

Дата изобретения: 1896 г.

Разработчик:
Шухов Владимир Григорьевич

Краткая информация:

       Перекрытие-оболочка — строительная конструкция перекрытий зданий и сооружений. В архитектурной практике используются выпуклые, висячие, сетчатые и мембранные оболочки из железобетона, металлов, древесины, полимерных, тканых и композиционных материалов. Для расчёта таких конструкций используется специально разработанная теория оболочек.

       Сетчатые перекрытия-оболочки впервые внедрил в мировую практику российский инженер и архитектор В. Г. Шухов в 1896 году.

Проявитель Чибисова

Проявитель Чибисова

Разработчик:
Чибисов Константин Владимирович

Краткая информация:

Проявитель Чибисова (стандартный проявитель № 1, СТ-1) — нормальный метол-гидрохиноновый сенситометрический проявитель. Назван по имени разработчика — профессора К. В. Чибисова. Предназначен для обработки негативной чёрно-белой фотоплёнки, фотопластинок и фотобумаги. при фабричном сенситометрическом испытании отечественных негативных и диапозитивных фотопластинок, авиапленок и фотобумаг (ГОСТ 10691.0-84 — 10691.0-84, 10691.5-88 и 10691.6-88).

главная / Изобретения России / Полупроводниковый лазер

Полупроводниковый лазер

Дата изобретения: 1959 г.


Разработчик: Вул Бенцион Моисеевич

Описание:

       Полупроводниковый лазер — твердотельный лазер, в котором в качестве рабочего вещества используется полупроводник. В таком лазере, в отличие от лазеров других типов (в том числе и других твердотельных), используются излучательные переходы не между изолированными уровнями энергии атомов, молекул и ионов, а между разрешенными энергетическими зонами кристалла. В полупроводниковом лазере накачка осуществляется непосредственно электрическим током.

       Под именем полупроводниковых часто встречается гибридный лазер из мощного светодиода накачки и наклеенного на него твердотельного активного элемента. Плюс таких лазеров в том что светодиодную структуру накачки можно сделать довольно протяженной и, соответственно, мощной. Механические деформации от нагрева меньше сказываются на активном элементе. "Полупроводниковые" лазеры с мощностями единицы-десятки ватт делают в основном именно по такой технологии. Визуально отличить гибридный лазер от полупроводникового довольно сложно.

       Поскольку в полупроводниковом лазере возбуждаются и излучают коллективно атомы, составляющие кристаллическую решётку, сам лазер может обладать очень малыми размерами. Другими особенностями полупроводниковых лазеров являются высокий КПД, малая инерционность, простота конструкции. Типичным представителем полупроводниковых лазеров является лазерный диод — лазер, в котором рабочей областью является полупроводниковый p-n переход. В таком лазере излучение происходит за счет рекомбинации электронов и дырок.

 

       Первая работа о возможности использования полупроводников для создания лазера была опубликована в 1959 Н. Г. Басовым, Б. М. Вулом и Ю. М. Поповым.