Другие изобретения
на букву "П"

Пикнометр

Пикнометр

Дата изобретения: 1859 г.

Разработчик:
Менделеев Дмитрий Иванович

Краткая информация:

Пикнометр (от греч. pyknós — плотный и ...метр) - стеклянный сосуд специальной формы и определённой вместимости, применяемый для измерения плотности веществ в газообразном, жидком и твёрдом состояниях.

"Панцирь-С1" - ракетно-зенитный комплекс-конструктор

"Панцирь-С1" - ракетно-зенитный комплекс-конструктор

Дата изобретения: 1994 г.

Краткая информация:

В конце 1994 года конструкторское бюро приборостроения впервые представило макет нового уникального зенитно-ракетного, артиллерийского комплекса «Панцирь-С1». Уже спустя год после демонстрации макета оружия будущего в августе 1995 года ее действующий образец был представлен на авиавыставке, которая ежегодно проводится в городе Жуковском. По мнению экспертов, это был прорыв в создании вооружения для ПВО сухопутных войск.

Паровая машина (двухцилиндровая)

Паровая машина (двухцилиндровая)

Дата изобретения: 12-03-1766 г.

Разработчик:
Ползунов Иван Иванович

Краткая информация:

В 1763 г. И.И. Ползунов разработал детальный проект парового двигателя мощностью в 1,8 л.с., а в 1764 г. вместе со своими учениками приступил к созданию «огнедействующей машины». Весной 1766 г. она была практически готова.

главная / Изобретения России / Полупроводниковый лазер

Полупроводниковый лазер

Дата изобретения: 1959 г.


Разработчик: Вул Бенцион Моисеевич

Описание:

       Полупроводниковый лазер — твердотельный лазер, в котором в качестве рабочего вещества используется полупроводник. В таком лазере, в отличие от лазеров других типов (в том числе и других твердотельных), используются излучательные переходы не между изолированными уровнями энергии атомов, молекул и ионов, а между разрешенными энергетическими зонами кристалла. В полупроводниковом лазере накачка осуществляется непосредственно электрическим током.

       Под именем полупроводниковых часто встречается гибридный лазер из мощного светодиода накачки и наклеенного на него твердотельного активного элемента. Плюс таких лазеров в том что светодиодную структуру накачки можно сделать довольно протяженной и, соответственно, мощной. Механические деформации от нагрева меньше сказываются на активном элементе. "Полупроводниковые" лазеры с мощностями единицы-десятки ватт делают в основном именно по такой технологии. Визуально отличить гибридный лазер от полупроводникового довольно сложно.

       Поскольку в полупроводниковом лазере возбуждаются и излучают коллективно атомы, составляющие кристаллическую решётку, сам лазер может обладать очень малыми размерами. Другими особенностями полупроводниковых лазеров являются высокий КПД, малая инерционность, простота конструкции. Типичным представителем полупроводниковых лазеров является лазерный диод — лазер, в котором рабочей областью является полупроводниковый p-n переход. В таком лазере излучение происходит за счет рекомбинации электронов и дырок.

 

       Первая работа о возможности использования полупроводников для создания лазера была опубликована в 1959 Н. Г. Басовым, Б. М. Вулом и Ю. М. Поповым.