Другие изобретения
на букву "П"

Прямоточный котёл

Прямоточный котёл

Дата изобретения: 1932 г.

Разработчик:
Рамзин Леонид Константинович

Краткая информация:

Прямоточный котёл - паровой котёл, в котором полное испарение воды происходит за время однократного (прямоточного) прохождения воды через испарительную поверхность нагрева. В прямоточном котле вода с помощью питательного насоса подаётся в экономайзер, откуда поступает в составляющие испарительную поверхность змеевики или подъёмные трубы, расположенные в топке.

Проявитель Чибисова

Проявитель Чибисова

Разработчик:
Чибисов Константин Владимирович

Краткая информация:

Проявитель Чибисова (стандартный проявитель № 1, СТ-1) — нормальный метол-гидрохиноновый сенситометрический проявитель. Назван по имени разработчика — профессора К. В. Чибисова. Предназначен для обработки негативной чёрно-белой фотоплёнки, фотопластинок и фотобумаги. при фабричном сенситометрическом испытании отечественных негативных и диапозитивных фотопластинок, авиапленок и фотобумаг (ГОСТ 10691.0-84 — 10691.0-84, 10691.5-88 и 10691.6-88).

Плавучая генераторная электростанция "Северное сияние"

Плавучая генераторная электростанция "Северное сияние"

Дата изобретения: 1969 г.

Разработчик:
Кухто Николай Кузьмич

Краткая информация:

Плавучая газотурбинная электростанция «Северное сияние» мощностью 24 000 кВт

Класс судна: K Л3 III плавучая электростанция, Российского Морского Регистра Судоходства.

Назначение судна: Обеспечение энергией промышленных районов Севера и Северо-Востокa России."

главная / Изобретения России / Полупроводниковый лазер

Полупроводниковый лазер

Дата изобретения: 1959 г.


Разработчик: Вул Бенцион Моисеевич

Описание:

       Полупроводниковый лазер — твердотельный лазер, в котором в качестве рабочего вещества используется полупроводник. В таком лазере, в отличие от лазеров других типов (в том числе и других твердотельных), используются излучательные переходы не между изолированными уровнями энергии атомов, молекул и ионов, а между разрешенными энергетическими зонами кристалла. В полупроводниковом лазере накачка осуществляется непосредственно электрическим током.

       Под именем полупроводниковых часто встречается гибридный лазер из мощного светодиода накачки и наклеенного на него твердотельного активного элемента. Плюс таких лазеров в том что светодиодную структуру накачки можно сделать довольно протяженной и, соответственно, мощной. Механические деформации от нагрева меньше сказываются на активном элементе. "Полупроводниковые" лазеры с мощностями единицы-десятки ватт делают в основном именно по такой технологии. Визуально отличить гибридный лазер от полупроводникового довольно сложно.

       Поскольку в полупроводниковом лазере возбуждаются и излучают коллективно атомы, составляющие кристаллическую решётку, сам лазер может обладать очень малыми размерами. Другими особенностями полупроводниковых лазеров являются высокий КПД, малая инерционность, простота конструкции. Типичным представителем полупроводниковых лазеров является лазерный диод — лазер, в котором рабочей областью является полупроводниковый p-n переход. В таком лазере излучение происходит за счет рекомбинации электронов и дырок.

 

       Первая работа о возможности использования полупроводников для создания лазера была опубликована в 1959 Н. Г. Басовым, Б. М. Вулом и Ю. М. Поповым.