Другие изобретения
на букву "Э"

Экранопланы

Экранопланы

Дата изобретения: 1960 г.

Разработчик:
Алексеев Ростислав Евгеньевич

Краткая информация:

В начале 1950-х гг. Р.Е. Алексеев предложил использовать низколетящее воздушное крыло для создания высокоскоростных водных судов. На эту идею его натолкнул зеркальный эффект малопогруженного подводного крыла (ныне он известен в мировом судостроении под названием «эффект Алексеева»). Конструктор установил, что, приближаясь к поверхности воды, подводное крыло теряет свою подъемную силу. Это наблюдение и легло в основу создания судов на воздушной подушке.

Электролет (Проект)

Электролет (Проект)

Дата изобретения: 1868 г.

Краткая информация:

Идея создания летательного аппарата с электрическим двигателем возникла у А.Н. Лодыгина в конце 1860-х гг. Хотя в первую очередь электролет предназначался для военных целей (т.е. имел стратегическое значение), власти отказались финансировать проект. Потеряв надежду на поддержку российского военного ведомства, Лодыгин решил просить помощи за рубежом.

ЭВМ "Сетунь"

ЭВМ "Сетунь"

Дата изобретения: 1959 г.

Разработчик:
Брусенцов Николай Петрович

Краткая информация:

ЭВМ "Сетунь" — малая ЭВМ на основе троичной логики, разработанная в вычислительном центре Московского государственного университета в 1959 г. Единственная в своём роде ЭВМ, не имеющая аналогов в истории вычислительной техники.

главная / Изобретения России / Эффект "Кикоина - Носкова"

Эффект "Кикоина - Носкова"

Дата изобретения: 1933 г.


Разработчик: Кикоин Исаак Константинович

Описание:

       Эффект "Кикоина - Носкова" - фотомагнитноэлектрический эффект, возникновение электрического поля в освещенном полупроводнике, помещенном в магнитное поле. Электрическое поле перпендикулярно магнитному полю и потоку носителей тока (электронов проводимости, дырок), диффундирующих в полупроводнике в направлении от освещенной стороны полупроводника, где поглощённые фотоны образуют электронно-дырочные пары, к неосвещенной  эффект "Кикоина - Носкова" наблюдается при резко неоднородной концентрации неосновных носителей тока, что достигается при сильном поглощении света.

       Открыт в 1933 И. К. Кикоиным и М. М. Носковым. Применяется при исследовании полупроводников.