Другие инженеры
на букву "В"

Виноградов Дмитрий Иванович

Виноградов Дмитрий Иванович

(1720 г. - 1758 г.)

Краткая информация:

Основоположник производства фарфора в России. Он был другом и соучеником Михаила Васильевича Ломоносова. Благодаря открытиям Виноградова Санкт-Петербургский фарфоровый завод завоевал общемировую известность.

Вонсовский Сергей Васильевич

Вонсовский Сергей Васильевич

(02-09-1910 г. - 11-08-1998 г.)

Краткая информация:

Советский и российский физик, академик АН СССР (1966) и РАН (с 1991).

Винокуров Николай Александрович

Винокуров Николай Александрович

(р.19-06-1952 г.)

Краткая информация:

Российский физик, заведующий лабораторией Института ядерной физики им. Г. И. Будкера Сибирского отделения РАН, доктор физико-математических наук (с 1995 года), профессор. Специалист в области физики и техники лазеров на свободных электронах, автор 180 научных работ (150 опубликованы в международных изданиях).

главная / Инженеры России / Вул Бенцион Моисеевич

Вул Бенцион Моисеевич

(22-05-1903 г. - 09-04-1985 г.)


Разработал:
Полупроводниковый лазер

Биография:

       Родился 22 мая 1903 года в городе Белая Церковь, ныне Киевской области Украины, в рабочей семье. Еврей. Отец был кузнецом, колесником, имел небольшую мастерскую. В Белой Церкви будущий ученый окончил двухклассную еврейскую школу, затем учился в высшем начальном училище, Белоцероковской гимназии.

       В 1920 году гимназист Вул добровольцем ушел в Красную Армию. Воевал в Первой конной армии. По возвращении в Белую Церковь был избран секретарем городской организации комсомола и на этой работе оставался несколько месяцев.

       В 1921 году Киевским губкомом комсомола был мобилизован в Киевский политехнический институт, где был зачислен на электротехнический факультет. Учебу совмещал с комсомольской работой, в 1922 году вступил в ВКП(б)/КПСС. Выполненная им дипломная работа представляла собой проект тепловой электростанции для будущего Днепрогэса. Еще во время работы над дипломом был зачислен в аспирантуру электротехнического факультета Киевского политехнического института. В январе 1928 году окончил институт и был оставлен аспирантом на кафедре электротехники. Аспирантуру закончил в конце 1929 году, защитив публично диссертацию.

       С 1932 года работал в Физическом институте АН СССР. Академик Академии наук СССР (1972, член-корреспондент с 1939 года). Сыграл ключевую роль в разработке первых отечественных полупроводниковых диодов, транзисторов, солнечных батарей и полупроводниковых лазеров. Совместно с Н. Г. Басовым и Ю. М. Поповым предложил идею создания полупроводниковых лазеров, эксимерных лазеров, возбуждаемых электронным пучком. Жил в городе Москве. До последнего дня своей жизни продолжал научную работу. Скончался 9 апреля 1985 года. Похоронен в Москве на Новодевичьем кладбище.

 

       Награды

       Указом Президиума Верховного Совета СССР от 13 марта 1969 года «за большие заслуги в развитии советской науки» Вулу Бенциону Моисеевичу присвоено звание Героя Социалистического Труда с вручением ордена Ленина и Золотой медали «Серп и Молот».       

       Сталинская премия второй степени (1946); за открытие нового сегнетоэлектрика — титаната бария.

      Ленинская премия (1964); за создание полупроводникового квантового генератора.